标准号：GB/T 45716-2025 采

中文标准名称：半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
英文标准名称：Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
标准状态：即将实施
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中国标准分类号（CCS）

L40

国际标准分类号（ICS）

31.080.01

发布日期

2025-05-30

实施日期

2025-09-01

主管部门

工业和信息化部（电子）

归口部门

工业和信息化部（电子）

发布单位

国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

备注