标准号：GB/T 14863-2013

中文标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法
英文标准名称：Method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
标准状态： 废止
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中国标准分类号（CCS）
H80
国际标准分类号（ICS）
29.045
发布日期
2013-12-31
实施日期
2014-08-15
主管部门
工业和信息化部（电子）
归口部门
工业和信息化部（电子）
发布单位
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
备注
2013年第27号公告 根据2017年第31号公告和推荐性国家标准复审结论，自2017年12月15日起,该标准废止。
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