标准号：GB/T 43493.1-2023 采 |
| 中文标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | |
| 英文标准名称：Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 1: Classification of defects | |
| 标准状态： 现行 | |
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