标准号：GB/T 45716-2025 采

中文标准名称：半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
英文标准名称：Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
标准状态： 现行
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