标准号：GB/T 48164.1-2026 采

中文标准名称：半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法
英文标准名称：Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability
标准状态： 即将实施
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