标准号：GB/T 48170-2026 采

中文标准名称：用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南
英文标准名称：Dynamic on-resistance test method guidelines for Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor (GaN HEMT) based power conversion devices
标准状态： 即将实施
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中国标准分类号（CCS）
L40
国际标准分类号（ICS）
31.080.01
发布日期
2026-08-28
实施日期
2027-03-01
主管部门
工业和信息化部（电子）
归口部门
工业和信息化部（电子）
发布单位
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
备注
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  • 主管：国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会
  • 主办：国家市场监督管理总局国家标准技术审评中心
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